收藏本站
SQ4942EY
www.vishay.com
TYPICAL CHARACTERISTICS (T A = 25 °C, unless otherwise noted)
Vishay Siliconix
30
24
18
12
V GS = 10 V thru 4 V
30
24
18
12
T C = 25 ° C
6
0
V GS = 3 V
6
0
T C = 125 ° C
T C = - 55 ° C
0
2
4
6
8
10
0
1
2
3
4
5
10
V D S - Drain-to- S ource Voltage (V)
Output Characteristics
40
V GS - G ate-to- S ource Voltage (V)
Transfer Characteristics
8
6
32
24
T C = - 55 ° C
T C = 25 ° C
T C = 125 ° C
4
T C = 25 ° C
16
2
0
T C = 125 ° C
T C = - 55 ° C
8
0
0
1
2
3
4
5
0
4
8
12
16
20
0.10
0.08
0.06
0.04
V GS - G ate-to- S ource Voltage (V)
Transfer Characteristics
V GS = 4.5 V
2500
2000
1500
1000
C i ss
I D - Drain Current (A)
Transconductance
0.02
500
C o ss
0.00
V GS = 10 V
0
C r ss
0
6
12
18
24
30
0
5
10
15
20
25
30
35
40
I D - Drain Current (A)
On-Resistance vs. Drain Current
V D S - Drain-to- S ource Voltage (V)
Capacitance
S11-2113-Rev. C, 07-Nov-11
3
Document Number: 65374
THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT
ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
SQ7414EN-T1-E3 MOSFET N-CH 60V 5.6A PPAK 1212-8
SQ7415EN-T1-E3 MOSFET P-CH 60V 3.6A PPAK 1212-8
SQD15N06-42L-GE3 MOSFET N-CH 60V 15A TO252
SQD19P06-60L-GE3 MOSFET P-CH D-S 60V TO252
SQD23N06-31L-GE3 MOSFET N-CH D-S 60V TO252
SQD35N05-26L-GE3 MOSFET N-CH D-S 55V 30A TO252
SQD40N04-10A-GE3 MOSFET N-CH D-S 40V 42A TO252
SQD50N02-04-GE3 MOSFET N-CH D-S 20V 50A TO252
相关代理商/技术参数
SQ4946AEY 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Automotive Dual N-Channel 60 V (D-S) 175 ?°C MOSFET
SQ4946AEY-T1-GE3 功能描述:MOSFET 60V 7A 4W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SQ4946EY-T1-E3 功能描述:MOSFET 60V 4.5A 2.4W 55mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SQ4949EY-T1-GE3 制造商:Vishay Semiconductors 功能描述:
SQ4953EY-T1-GE3 制造商:Vishay Semiconductors 功能描述:
SQ4957 制造商:SEMICOA 制造商全称:SEMICOA 功能描述:Chip Type 2C4957 Geometry 0006 Polarity PNP
SQ4957F 制造商:SEMICOA 制造商全称:SEMICOA 功能描述:Chip Type 2C4957 Geometry 0006 Polarity PNP
SQ4961EY 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Automotive Dual P-Channel 60 V (D-S) 175 ?°C MOSFET
    • 我
    • 采购
    • 搜索
    • 会员